Postęp technologiczny procesorów
Zmniejszenie rozmiaru (fizycznego) komórki atomowej (element logiczny) pozwala na stosowanie niższego napięcia zasilania jak również powoduje mniejsze opóźnienie sygnału elektrycznego (mniejszy czas propagacji sygnału) co pozwala stosować wyższe częstotliwości taktowania układów. Niższe napięcie zasilania zmniejsza ilość emitowanego przez układ ciepła, które jest proporcjonalne do kwadratu napięcia zasilającego i częstotliwości pracy. Intel dual voltage (mniejsze napięcie zasilania jądra procesora niż układów we/wy). Producenci procesorów dążą do zmniejszania średnicy ścieżek przewodzących. Średnica nazywana szerokością struktury wynosi obecnie 0,18 mikrona = 180 nm. Nadmierne zmniejszenie średnicy ścieżek może prowadzić do indukowania prądu w sąsiadujących ścieżkach a co za tym idzie do niestabilnej pracy układu. Aby tego uniknąć IBM opracował technologię masowej produkcji układów (SOI – Silicon On Insulator) w której dodatkowa warstwa tlenku krzemu oddziela tranzystory od krzemowego nośnika. Inną barierą w zmniejszaniu rozmiaru komórki jest sama technologia wytwarzania układów scalonych. W technologii tej używa się fotolitografii. Fotolitografia umożliwia trawienie (usuwanie) krzemu przy pomocy naświetlania ultrafioletem. Obecnie stosuje się ultrafiolet o długości fali 243 nm jednak gdy średnica ścieżki zostanie zmniejszona do 130 nm (0,13 mikrona) to wymusi to stosowanie krótszych długości fal 196 nm (deep UV). Zdaniem ekspertów nawet tak zaawansowana technologia nie pozwoli na zmniejszenie średnicy ścieżki poniżej 80 nm (0,08 mikrona).